Институт создан для решения фундаментальных физико-технологических проблем субмикронных структур сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем на основе развития субмикронной литографии, математического моделирования технологических процессов, разработки вакуумных и плазменных методов создания тонких пленок и их микроструктурирования, разработки и исследования субмикронных приборов микроэлектроники.
Институт ведет исследования как фундаментального, так и прикладного характера.
Элементы квантового компьютера
Фундаментальные проблемы:
•физика и элементная база квантовых компьютеров;
•физика нанотранзисторов и наноструктур с низкой размерностью;
•рентгеновская дифрактометрия для анализа структурного совершенства многослойных структур (сверхрешетки, гетероструктуры с квантовыми ямами и точками и др.) с монослойным разрешением;
•исследования наномагнетиков методом гамма-резонансной спектроскопии;
•исследование фазовых превращений в тонких и сверхтонких пленках и в многослойных структурах;
•научные основы плазменных технологий в микро- и наноэлектронике;
•модели и методы моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники.
Прикладные задачи:
•разработка новых типов широкоапертурных источников плотной плазмы и источников ионов;
•разработка оборудования для плазмо-стимулированного осаждения тонких пленок, плазмохимического травления, плазменной очистки поверхности, плазмо-иммерсионной ионной имплантации, ионно-стимулированных процессов технологии микроэлектроники и др;
•разработка плазменных технологий нанесения, травления, очистки поверхности, ионной имплантации и др.;
•разработка методов и средств мониторинга плазменных технологических процессов и детекторов момента их окончания;
•разработка технологии металлизации контактов микро- и наноструктур, включая силидизацию и нанесение барьерных слоев;
•разработка алгоритмов и программ моделирования технологических процессов и приборов микро- и наноэлектроники;
•разработка конструкций и технологии элементов микромеханики;